Aperçu
قرص تخزين سريع يوفر أداءً متقدمًا للألعاب والتطبيقات الاحترافية، مثالي لتحديث حاسوبك الشخصي أو المحمول بسرعة ملحوظة وموثوقية عالية.
Prix
Rupture de stock
| 📋 المواصفات | 📝 التفاصيل |
|---|---|
| 🏢 العلامة التجارية | HIKSEMI |
| 📦 السلسلة | NEO C100 |
| 💽 نوع المنتج | Internal NVMe SSD |
| 💾 السعة المتاحة | 128GB / 256GB / 512GB / 1TB |
| 📏 الشكل | M.2 2280 |
| 🔌 الواجهة | PCIe Gen 3 ×4 |
| ⚡ البروتوكول | NVMe |
| 🧩 نوع الذاكرة | 3D TLC NAND |
| 🎛️ وحدة التحكم | Silicon Motion SM2263XT |
| 🗂️ ذاكرة التخزين المؤقت | DRAM-less |
| 🚀 القراءة المتسلسلة | حتى 1,175–2,465 MB/s |
| ✍️ الكتابة المتسلسلة | حتى 700–2,475 MB/s |
| 🎯 القراءة العشوائية | حتى 295K IOPS |
| 📝 الكتابة العشوائية | حتى 430K IOPS |
| 🛡️ التحمل | حتى 730 TBW حسب السعة |
| ⏱️ المتوسط بين الأعطال | 1.5 مليون ساعة |
| 📐 الأبعاد | 80.15 × 22.15 × 2.38 mm |
| 🌡️ درجة حرارة التشغيل | 0–70 درجة مئوية |
| 🌡️ درجة حرارة التخزين | −40–85 درجة مئوية |
| ⚡ استهلاك الطاقة النشط | 3 واط |
| 🔧 الميزات | TRIM / S.M.A.R.T. / ECC / wear leveling |
| 🎯 الاستخدام المقصود | أنظمة التشغيل، التطبيقات، الألعاب، والتخزين السريع العام |